隨著電子元器件的發展，其結構原來越精密，電路集成度也越來越高，這就使得散熱在電子封裝中的要求也越來越高。覆銅陶瓷基片是功率模塊封裝中連接芯片和散熱襯底的關鍵材料，已廣泛用于混合動力模塊、激光二極管和聚焦型光伏封裝，在高頻應用方面也體現出很大的應用價值。al2o3作為性價比很高的陶瓷基片，主要用于中低功率范圍；而氮化鋁電子封裝基片具有高導熱性，廣泛應用于大功率電力電子器件。
    ALN陶瓷基片表面覆銅是基于al2o3表面直接覆銅(dcb)方法。在于銅封接之前，一般需要將ALN陶瓷基片在高溫下(>1200℃)的空氣氣氛中氧化，以期在表面形成結構均勻且附著牢固的al2o3層，高溫氧化工藝本身比較簡單，但是能耗高、周期長。為了解決這個問題，需要一種新的ALN陶瓷基片表面覆銅方法。具體步驟如下：
    步驟一：將ALN陶瓷片放置在水溶液中進行水解，然后通過熱處理，使得氮化鋁表面水解產物分解成為al2o3陶瓷層；
    步驟二：將預氧化的cu與預處理的氮化鋁表面相對貼合，在低于cu熔點溫度下燒結，生成表面覆銅的ALN陶瓷基片。
    新的ALN陶瓷基片表面覆銅方法的特點是：
    1、通過水解和熱處理手段在氮化鋁表面形成al2o3陶瓷層；
    2、水解產物分解形成的al2o3陶瓷層晶型、厚度可控，有利于后續覆銅燒結。